Dala{0}}ta'sirli tranzistorlar (FET) kuchlanish-boshqariladigan qurilmalar, tranzistorlar esa oqim-boshqariladigan qurilmalardir. FET'lar signal manbasidan faqat kichik oqimga ruxsat berilganda tanlanishi kerak; aksincha, tranzistorlar signal zo'riqishida past bo'lsa, lekin kattaroq oqimga ruxsat berilganda tanlanishi kerak. FETlar ko'pchilik tashuvchilardan foydalangan holda ishlaydi, shuning uchun ular bir qutbli qurilmalar deb ataladi, tranzistorlar esa ko'pchilik va ozchilik tashuvchilari yordamida ishlaydi, shuning uchun ular bipolyar qurilmalar deb ataladi.
Ba'zi FETlar almashtiriladigan manba va drenaj terminallariga ega va ularning eshik kuchlanishi ijobiy yoki salbiy bo'lishi mumkin, bu tranzistorlarga qaraganda ko'proq moslashuvchanlikni ta'minlaydi.
FETlar juda past oqim va past kuchlanish sharoitida ishlashi mumkin va ularning ishlab chiqarish jarayonlari ko'plab FETlarni bitta silikon chipga oson integratsiya qilish imkonini beradi. Shuning uchun FETlar katta{1}}miqyosdagi integral mikrosxemalarda keng qo'llaniladi.
