(1) Dala effekti{1}}tranzistorlari (FET) kuchlanish-boshqariladigan qurilmalar, tranzistorlar esa oqim-boshqariladigan qurilmalardir. FET'lar signal manbasidan faqat kichik oqimga ruxsat berilganda tanlanishi kerak; tranzistorlar signal zo'riqishida past bo'lganda va signal manbasidan kattaroq oqim olishiga ruxsat berilganda tanlanishi kerak.
(2) FETlar ko'pchilik tashuvchilardan foydalangan holda elektr tokini o'tkazadilar, shuning uchun ular bir kutupli qurilmalar deb ataladi, tranzistorlar esa ko'pchilik va ozchilik tashuvchilardan foydalangan holda elektr tokini o'tkazadi, shuning uchun ular bipolyar qurilmalar deb ataladi.
(3) Ba'zi FETlar almashtiriladigan manba va drenaj terminallariga ega va ularning eshik kuchlanishi tranzistorlarga qaraganda ko'proq moslashuvchanlikni ta'minlovchi ijobiy yoki salbiy bo'lishi mumkin.
(4) FETlar juda past oqim va past kuchlanish sharoitida ishlashi mumkin va ularni ishlab chiqarish jarayoni ko'plab FETlarni bitta silikon chipga oson integratsiya qilish imkonini beradi. Shuning uchun FETlar katta-miqyosdagi integral sxemalarda keng qo'llaniladi.
